近期，韩国媒体ETNews披露了一则关于SK海力士在高性能内存领域取得重大进展的消息。据悉，SK海力士第六代12层堆叠高带宽内存HBM4的测试良率已成功攀升至70%，这一成就不仅标志着其即将迈入量产阶段，也预示着SK海力士在HBM4市场的激烈竞争中抢占了先机。

作为半导体行业中衡量产品质量的关键指标，良率的提升对于增强企业的市场竞争力至关重要。回顾2024年底，SK海力士的12层堆叠HBM4良率还仅为60%，而仅仅数月之后，这一数字便跃升至70%，其进步速度之快令人瞩目。

据业内人士透露，SK海力士在HBM4技术上的迅猛进展，很大程度上得益于其第五代10nm级DRAM（1b）技术的成功应用。这一技术不仅经过严格的性能和稳定性验证，还被广泛应用于SK海力士的HBM3e产品中，为其积累了宝贵的经验和技术储备。

值得注意的是，SK海力士的HBM3e产品曾实现高达80%的目标良率，并显著缩短了50%的量产时间。基于这一成功经验，业内人士普遍预测，HBM4 12层堆叠产品也将迅速步入量产阶段。目前，SK海力士已完成内部技术的全面开发和评估工作，正准备向客户提供样品进行性能测试，一旦测试通过，量产工作将随即启动。

SK海力士的12层堆叠HBM4有望被部署在英伟达即将推出的下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。据悉，英伟达计划将“Grace Hopper”系列的量产时间提前至2025年下半年。这一消息无疑为SK海力士加快提升HBM4良率和推进量产进程提供了强大的动力，以满足英伟达等客户对于高性能内存的迫切需求。

随着SK海力士在HBM4技术上的不断突破，其在高性能内存市场的地位将进一步巩固。未来，SK海力士将继续致力于技术创新和产品研发，以满足市场对于高性能、高稳定性内存产品的日益增长需求。