在半导体制造领域，一个普遍认知是，生产7纳米以下的高端芯片离不开EUV光刻机。这一技术门槛，正是美国限制ASML向中国出口EUV光刻机的关键所在，其目的显而易见，旨在遏制中国在先进芯片制造领域的进步。

然而，这种技术封锁并未让中国半导体行业感到绝望。相反，它激发了中国自主研发的决心。一旦掌握了自主制造能力，无论美国如何限制，中国都能应对自如，因为核心技术的掌握意味着不再受制于人。

随着时间的推移，美国的封锁范围不断扩大，连先进的DUV光刻机也被纳入禁运之列。但中国半导体企业早有准备，国内晶圆厂在禁令实施前已采购了足够数量的DUV光刻机，因此这一举措并未造成太大影响。

尽管如此，EUV光刻机仍是悬在中国半导体行业头上的一把利剑。毕竟，没有它，似乎很难跨越7纳米以下的工艺门槛。而国产EUV光刻机的量产，似乎还遥遥无期。

然而，近日有专业机构带来了一线曙光。据分析，利用现有的浸润式DUV光刻机，理论上也可以制造出2纳米级别的芯片。这一发现，无疑为中国半导体行业提供了新的可能。

根据台积电的资料，即将量产的“2纳米”节点芯片，其最小（金属）半节距为10纳米。值得注意的是，即使采用EUV光刻机，也无法一次性完成光刻，因为这一精度已超出了目前最先进EUV系统的分辨率。因此，EUV光刻机同样需要采用多次曝光技术，如双重图案化（SADP）来实现。

除了SADP外，还有一种名为六重图案化（SASP）的技术方案。采用这种方案，相当于进行六次曝光，可以将光刻机的分辨率降低至标准的六分之一。以浸润式DUV光刻机为例，其能达到的分辨率一般为38纳米。如果采用SASP方案，则可以达到6.3纳米半间距，而2纳米芯片的半间距为10纳米。

因此，从理论上讲，2纳米芯片也可以使用DUV光刻机来制造。当然，这种SASP方案实施起来难度较大，需要在SADP（双对准）后紧接着进行SATP（三对准）。

尽管实施起来颇具挑战，但这一发现无疑为中国半导体行业提供了宝贵的方向和参考。它意味着，即使没有EUV光刻机，中国半导体行业也并非无路可走。当然，这种复杂工艺会导致良率降低、成本上升，因此在非必要情况下不会轻易采用。然而，在关键时刻，这或许将成为中国半导体行业突破封锁的关键。